在这项工作中，研究了3D打印纳米结构氧化铜薄膜的相态、光敏区、能带结构和光学质量对退火温度（Ta）的依赖性。确定了在Ta≤400°C时沉积和退火的氧化铜薄膜都具有CuO相，在Ta=450°C时退火的薄膜对应于Cu₂O相。讨论了两相转换的可能机制。确定了由吸收系数一阶导数和Tauc方法确定的间接允许光学跃迁引起的CuO薄膜的带隙分别对应于1.60 eV和1.35 eV。确定了在Ta=350°C时CuO薄膜的光学****。获得的结果为获得适合现代光电应用的材料开辟了道路，特别是用于开发环境友好型太阳能电池。

纳米技术的快速发展需要新材料，这刺激了功能半导体氧化物纳米材料受控合成的发展，纳米结构薄膜的创建，以及对其独特物理和化学性质的研究。这对于各种潜在应用至关重要。*广泛的金属氧化物纳米材料之一是氧化铜，它具有两种晶体修饰（Cu₂O和CuO）。这些铜氧化物的物理性质（结构、光学、电子等）变化强烈。特别是Cu₂O具有立方晶体对称性。同时，CuO属于单斜对称。Cu₂O是一种p型材料，带隙（Eg）等于2.50 eV。CuO也是一种p型半导体，Eg=1.48 eV。

应该注意的是，温度退火对氧化铜薄膜物理特性影响的性质明显取决于其生产技术。目前，有许多致力于研究不同气氛下温度退火对这些薄膜的结构、光学和其他物理特性的影响的工作。对这些工作的详细分析表明，这种影响显著取决于获得氧化铜薄膜的技术。

特别是，通过一些方法（磁控管溅射、SILAR、脉冲激光、化学、SILAR、蒸发金属铜和磁控管溅射）沉积的氧化铜薄膜的特征是沉积薄膜的Cu₂O立方相的形成。将这些薄膜退火到大约（350-400）℃时，观察到Cu₂O立方相向单斜CuO相的转化。此外，在某些温度下也观察到两相的混合物。当使用其他薄膜沉积技术（喷雾热解、溶胶-凝胶旋转涂层、SILAR）时，沉积的薄膜具有CuO相。由于这种薄膜的退火，它们保留了这种结构，质量有所提高，或者在≥400℃的温度下，它们转化为Cu₂O相。还应该注意的是，这种相变的过程强烈地取决于技术条件（相变发生的气氛、气氛的压力、退火温度和时间等）。

因此，优化沉积氧化铜薄膜的任何技术都需要详细研究退火条件对其物理性能的影响。已知目前，对氧化铜薄膜的3D打印技术的**研究是相当实际的，因为这种方法仍然没有得到充分的发展。对通过3D打印获得的任何薄膜的温度退火的研究仍然不足以优化其生产的技术。同时，这项技术的发展非常重要，因为它开辟了其在快速发展的柔性电子产品中使用的可能性。本研究的目的是研究氩气氛中的温度退火对3D打印纳米结构Cu_xO薄膜的光学和光电性能的影响，控制其相组成，建立电子跃迁的性质和能量结构的特征，并优化所研究薄膜的光学质量。